石（shí）墨化過程大（dà）致可分為兩個階段（duàn）

石（shí）墨（mò）化過程（chéng）大（dà）致可分為（wéi）兩個階段石墨化過（guò）程（chéng）的兩個階段

碳的石墨化理（lǐ）論曾有（yǒu）各種說法，如碳化物轉（zhuǎn）化理論、微（wēi）晶增長理論、再結晶理論等，但是近代科學研究（jiū）結果被更多人公認的石墨化機理為“石墨化是高溫下固相中的變（biàn）化，以熱能引起（qǐ）的運動為基礎使碳（tàn）元（yuán）素微晶結構從無序狀態（無（wú）定形炭）向有序狀態（石墨晶體（tǐ）結構）過渡，也即是（shì）晶體成長和增大晶體內（nèi）層麵有序疊（dié）合為主的物理性質的結構變化”石墨化過程大致可分為兩個階段，第一階段是在1000~1800℃之間進行，在這一階段無定形炭的石墨（mò）化並未開（kāi）始，實際（jì）上以（yǐ）進行化學反應為主，無（wú）定形炭微晶結構中結合的氫、氧、氮（dàn）、硫等（děng）元素不（bú）斷逸出，逸出的結果使無定形炭微晶結構邊緣部分的雜質元素（sù）不（bú）斷減少，並殘留下若幹晶格（gé）缺陷，沿微晶層麵的寬（kuān）度（dù）方向尺寸有所增長，但增長的幅度不大，在第一階段出現的變化與炭的種類（易石墨（mò）化炭還是難石墨化炭）沒有多（duō）大關係。

第（dì）二階段（duàn）是1800℃以上一直上升到3000℃（也有人認為（wéi）應該從1700℃開（kāi）始（shǐ）），其中（zhōng）從1800~2000℃這一區間，利（lì）用X射（shè）線衍（yǎn）射技術可以觀測到無定形炭（tàn）微晶尺寸（L和L）的變化（huà），以（yǐ）此溫（wēn）度為界限，進一步提高熱處理（lǐ）溫（wēn）度，易石墨化炭和難石墨化炭的差（chà）別開始明顯（xiǎn）起（qǐ）來。可以認為2000℃以上炭原子微晶（jīng）結構產（chǎn）生的變化是石墨化的（de）關鍵階段，通過晶格缺陷的移動和晶格畸變的圖13-1易石（shí）墨（mò）化炭的結構示意圖退火進行晶體成長，也即晶體層麵a軸方（fāng）向（La）和C軸方向（L）的微晶尺（chǐ）寸不斷增加，與（yǔ）此同（tóng）時晶體的層麵間距（do）逐漸減小，熱（rè）處（chù）理溫（wēn）度越高，do越來越接近理想石墨晶體的層麵間距（0.3354nm）。一些難石墨化炭雖然也存在石墨層狀結（jié）構的微（wēi）晶，但在其周圍由未形（xíng）成交聯結（jié）構的碳原子（或原子團）圍繞著（zhe），並存在許多微小的孔隙，這種孤立狀態層（céng）麵之間的融並成（chéng）長很（hěn）困難，這（zhè）是易石墨化炭和難石墨化炭在熱處理（lǐ）過程中的重要區別。圖13-1為易石墨化炭結構示意圖，圖13-2為難（nán）石墨化炭結構示意圖，圖133為易石墨化炭與難石（shí）墨化炭（tàn）加熱到高溫時微晶增長的差異。