石（shí）墨（mò）烯加（jiā）熱 SiC法

石墨烯的合成方法主要有兩種：機械方法（fǎ）和化學方（fāng）法。

機械方法包（bāo）括微機械分離法、取向附生法和（hé）加熱SiC的（de）方法 ；

 化學方法是化學還原法與化學解理法。

加熱 SiC法

　　該法是通過加熱單晶6H-SiC脫除Si，在單晶（jīng）(0001) 麵上分（fèn）解（jiě）出石墨烯片層。

具（jù）體過程是：將經氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真（zhēn）空下通過電子轟擊加熱，除去氧（yǎng）化物。

用俄歇電子（zǐ）能譜確定表麵的氧（yǎng）化物完全被移除後，將樣品加熱使之溫度升高至1250~1450℃後恒溫1min~20min，

從而形成（chéng）極薄的石墨層，經過（guò）幾年的探索，Berger等人（rén）已經能可（kě）控地製備出單（dān）層或是多層石墨烯。其厚度由加熱溫度決（jué）定，製備大麵積具有單一厚度的石墨烯比較困難（nán）。