單晶爐配件之石墨熱場的選購
發布時間:2019-09-03 19:23:18
單晶爐配件之石墨熱場的選(xuǎn)購直拉單晶製造法(Czochralski,CZ法)是把原料(liào)多矽晶塊放(fàng)入石英坩(gān)堝中,在單晶爐中加熱融化 ,再將一根直徑隻有12mm的棒狀晶種(稱籽晶)浸入融(róng)液中。在合適的溫度下(xià),融液中的矽(guī)原子會順著晶種的矽原子排列結(jié)構在固液交界麵上(shàng)形成規則的結晶,成為單晶體。把晶種慢慢旋轉並向上提升,融液中的矽原子(zǐ)會在前麵形(xíng)成的單晶體上繼續結晶,並(bìng)延續其規則的(de)原(yuán)子排列結構。若(ruò)整(zhěng)個結晶環境穩定,就可以周而複(fù)始地形成結晶,最後形成一根圓(yuán)柱形的原子(zǐ)排列(liè)整(zhěng)齊的(de)矽單晶晶體,即矽單晶錠。當結晶加(jiā)快時,晶體直徑會變粗,提高升速可以使直徑變細,增加溫度能抑製(zhì)結晶(jīng)速度。反之,若結晶變慢,直徑變細,則通過降低拉速和降溫去控製。拉晶開始,先引出一定(dìng)長度,直徑為3~5mm的細頸,以消除結晶位錯,這個過程叫做引晶(jīng)。然(rán)後放大單晶體直徑至(zhì)工(gōng)藝要求,進入等徑階段,直(zhí)至大部分矽融液都結晶(jīng)成單晶錠,隻剩下少量剩料。停爐後取出單(dān)晶棒,一個工藝過(guò)程結束。