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石墨烯在紡織品應用中的開(kāi)發進展

作者:http://www.hryok.com 發布時間:2019-10-04 17:31:04

石墨(mò)烯在紡織品應用中的開(kāi)發進展

商業定製化石墨烯產(chǎn)品需求快速升(shēng)溫
據某研(yán)究院發布的《石墨烯行業深度市場調研與投資戰(zhàn)略規劃(huá)分析(xī)報(bào)告》數據顯示,2016年石墨(mò)烯全球市場規模為755萬美元,隨著石墨烯(xī)製備技術進一步推動規模化應用,5年至10年內(nèi)市場將進入高(gāo)速發展期,到2020年市場規模可達到3.85億美元,2025年全球規模(mó)有望達到21.03億美元。
目前石墨烯產業全產業鏈已(yǐ)初見雛形,覆蓋了從原料、製備、產(chǎn)品開發(fā)和下遊(yóu)應用的全環節。未來,石墨烯產品的商業定製化需求將日益明顯。石墨烯供應商趨向與下遊應用商緊密合作,一起開發石墨烯的下遊應用(yòng),定製化的石(shí)墨烯產品和中間體的出(chū)貨規模將(jiāng)迅速增長。

石墨烯加速落地“紡織領域”
由於石墨烯具有優異的力學、光學、導電導熱(rè)、儲能、抗菌抑菌、防紫外、抗靜電等性(xìng)能,將石墨烯(xī)製成纖維、或將石墨烯及其衍生產品應用於纖維、紗(shā)線和織物製成多功能、特殊防護和智能紡織品(pǐn)已成為紡(fǎng)織領域研(yán)究熱點。
纖維方麵(miàn)的應用
當今石墨烯複合纖維主(zhǔ)要用於研究開發功能性和高性能纖維兩個領域(yù)。功能性纖維包括保暖保溫、防紫外線、防靜電、電磁屏蔽、抗菌防(fáng)臭、導熱等方麵的複合纖維。高性能纖維包括高強、高模量、輕質、高導電、超(chāo)電容、高儲能、高光導等方(fāng)麵的複合纖維以及今後可替代碳纖維的複合纖維。

利用石墨烯化合物對織(zhī)物改性是石墨烯開發的亮點。采(cǎi)用的方法有(yǒu)融合、接枝、浸潤(rùn)、沉積、塗覆等,力求充分發揮石墨烯的優異特性,開發新型功能性紡織品,如抗(kàng)菌、防臭、防紫外線、防靜電(diàn)、防(fáng)火、防(fáng)輻(fú)射功(gōng)能性服裝(zhuāng)等(děng);開發產業用紡(fǎng)織品,如導電、過濾、穿戴設備、航天航海用紡(fǎng)織品等。
隨著(zhe)人們(men)日益增長的健(jiàn)康消費需求,使用石墨烯等新材料的功能性紡織品將(jiāng)走進越來(lái)越(yuè)多的老百姓的生活(huó)中,市場前景廣闊。推進石墨烯與紡(fǎng)織業(yè)深度(dù)融合,往智能化、可穿戴、高科技的方向發展,已是應對新一輪科(kē)技(jì)變革的必然要求。
2019年6月4-5日(rì),由中(zhōng)國粉體網,江蘇省納米(mǐ)技術產業創新中心聯合主辦的“2019第二屆低維碳納米(mǐ)材料製備及應用技術高峰論壇”將在蘇州舉(jǔ)辦,屆時(shí)中國科學院(yuàn)上海微係統與信息技術研究所丁古巧(qiǎo)研究員將作《石墨烯材料定製(zhì)化生產及其在紡織品中的應用開發進展》報告。
丁古巧個(gè)人簡(jiǎn)曆
丁古巧博士,中科院上海(hǎi)微係統所研究員、博士生導師。上海交通大學博士畢業,曾在美國陶氏化學、常(cháng)州大學工作。2010年加盟中科(kē)院上海微係統所,2014年晉升為研(yán)究員。共發表SCI論文125篇,包(bāo)括(kuò)Adv.Mater.,Nat.Commun.,Chem.Mater.等,H index 33。申請石墨烯相關(guān)專利80餘項,已授權專利50項。2018年初聯合(hé)中科院上(shàng)海微係統所、江蘇悅達集團,創立上(shàng)海烯(xī)望(wàng)材料科技有限公司並擔(dān)任總經理,注冊資本5000萬,提供石墨(mò)烯材料規模化(huà)製(zhì)備解決方案和石墨烯應用產品解(jiě)決方案,並致力於發展科技成果轉化高效、可複製的模式。兼任上海市石墨烯產業化平台技術委員會專(zhuān)家、寧波大學客座教授、江蘇悅達集團新材料(liào)事業部總經理(lǐ)。
關於石墨(mò)烯
石墨烯(Graphene)是一種(zhǒng)由碳原子以sp²雜化(huà)軌道組成六角型呈蜂巢晶(jīng)格的二維碳納(nà)米材料。
石墨烯具有優異的光學、電學、力學特性,在材料學、微納加(jiā)工、能源、生物(wù)醫學和藥物傳遞等方麵具有重要的應用前景,被認為是一種未來革命性的材料。英國曼徹(chè)斯特大學物理學家安德烈·蓋姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫,用微機械剝(bāo)離法成功從石墨中分離出石墨烯,因此共同獲得2010年諾貝爾(ěr)物理學獎。石(shí)墨烯常見的粉體生產的方法為機械剝離法、氧化還原法、SiC外延生長法,薄膜生產方法為化學氣相沉積法(CVD)。



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